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IRF7807D2
0.05
0.04
0.03
0.024
0.022
0.020
VGS = 4.5V
0.02
I D = 7.0A
0.018
VGS = 10V
0.01
2.0
4.0         6.0         8.0
VGS, Gate -to -Source Voltage (V)
10.0
0.016
0
20         40         60
I D , Drain Current (A)
80
Fig 9. On-Resistance Vs. Gate Voltage
100
D = 0.50
Fig 10. On-Resistance Vs. Drain Current
10
0.20
0.10
0.05
0.02
1
0.1
0.01
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
P DM
t 1
Notes:
1. Duty factor D = t 1 / t 2
2. Peak T J = P DM x Z thJA + T A
t 2
0.001
0.01
0.1
1
10
100
t 1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient (MOSFET)
www.irf.com
5
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